ICP-AES法测定三甲基铟中痕量杂质元素
随着化合物半导体的迅速发展,作为其生长不可或缺的支撑材料之一的高纯金属有机化合物MO源,其痕量杂质的含量对其电学,光学性能有着举足轻重的影响,MO源中的所有杂质含量均要求在10<”-6>以下,所以对分析的准确度和灵敏度要求很高,在分析仪器中,只有ICP-MS和ICP-OES可以满足分析要求。但是对于Si, Fe, Ca等元素在ICP-MS上受到同位素的干扰太大,严重影响分析结果。所以,本文建立了用单道扫描型ICP直读光谱仪测定三甲基铟(TMIn)中硅、镁、铜、铁、锌等元素的分析方法,具有基体干扰小,检出限低,稳定性高等特点,并获得了满意的结果。
三甲基铟 痕量杂质元素 ICP直读光谱仪 检出限
孙明璐 吕宝源 邱良德
江苏南大光电材料股份有限公司 江苏苏州 215021
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82-84
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）