氮化铟纳米材料的生长
Ⅲ族氮化物由于其优越的性能和广泛的用途,一直是半导体中的研究热点。作为氮化物中的重要一员,氮化铟(InN)有着卓越的电学性质和特殊的禁带宽度,同时InN又和AlN、GaN一样具有稳定的化学、机械性质,能够在恶劣的环境下(比如高温、太空中)保持优越的光电性质。可以认为,InN将使氮化物的应用从传统的可见-紫外发光器件、高速大功率电子器件大大扩展到诸如:太阳电池、太赫兹器件、红外光电子器件、化学传感器等全新领域。
半导体 氮化铟纳米 电学性质 电子器件 光电性质
刘祥林 康亭亭
中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室 北京海淀区清华东路甲35号 100083
国内会议
广州
中文
59-65
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）