高热稳定性多发射极功率SiGe HBT的研制

摘要：

成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流I<,c>的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HBT改善峰值结温的能力更为明显。由于峰值结温的降低以及有源区温度分布非均匀性的改善,非均匀发射极条间距功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力。

关键词： 异质结双极晶体管 功率器件 热稳定性 偏置电流 峰值结温

作者: 金冬月 沈珮 张万荣 王扬 沙永萍 何莉剑 张蔚 谢红云

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京 100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007”信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 177-180

在线出版日期: 2007-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）