AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

摘要：

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究。AlGaN/GaN HEMT Si<,3>N<,4>钝化层使用PECVD获得。文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获。传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度。

关键词： 电流崩塌 表面钝化 输出特性 传输线模型 载流子密度

作者: 岳远征 郝跃 张进城 冯倩

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院 陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007”信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 72-75

在线出版日期: 2007-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）