纳米碳管CVD制备工艺中多物理场的耦合模拟分析

摘要：

本文建立了描述纳米碳管CVD工艺的2D轴对称几何模型,对CVD工艺中的温度场,前驱体浓度场进行了模拟分析,研究结果表明在CVD炉内沿轴向存在一个很大的温度梯度,高温沉积区域温度均匀稳定,前驱体乙炔浓度适中,有利于纳米碳管的生长。模拟结果的精确度高,可用于纳米碳管CVD工艺参数优化,最终达到在计算机上做实验的目的。

关键词： 纳米碳管 化学气相沉积 数值模拟 模拟分析

作者: 赵建国 刘朗 郭全贵 史景利 翟更太 宋进仁

作者单位: 中国科学院山西煤炭化学研究所 炭材料重点实验室,山西 太原 037001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国新型炭材料学术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 504-506

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）