基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的应用

摘要：

本文介绍了基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的结构、基本工作原理及其仿真模型,并在CADENCE ADE用SpectreRF仿真软件对其特性和其在VCO的典型应用电路进行了仿真。结果表明,这种变容管可提供的电容动态范围较大,具有较好的单调线性度,可工作的频率范围大,为压控振荡器的变容设计提供了很好的选择。

关键词： 变容管 积累型MOS SiGe5AM工艺 压控振荡器

作者: 高锋淋 黄世震 林伟 陈学清

作者单位: 福州大学 福州 350002 福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州 350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 482-485

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）