GalnAsP/InP跑道型环行谐振腔的制备

摘要：

采用等离子增强型化学汽相沉积和电子束刻蚀相结合方法制备了直径为1~20μm的GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔,采用扫面电镜等方法对其进行研究。结果表明:直径为4.5μm、跑道长度为5μm,直径为10.5μm、跑道长度为5μm和直径为19.5μm、跑道长度为3μm的环形谐振腔的自由频谱范围分别为28nm、16nm和9.5nm;随着环形直径的增加,其自由频谱范围减小;在相同的直径下,随着跑道的长度增加,自由频谱范围减小。

关键词： GalnAsP/InP 环形谐振腔 自由频谱范围 跑道长度 等离子增强 化学汽相沉积 电子束刻蚀

作者: 吕昊 石邦任 郭丽君 刘爱梅

作者单位: 长春理工大学物理系,吉林长春,130022;孝感学院物理系,湖北孝感,432000 长春理工大学物理系,吉林长春,130022 孝感学院物理系,湖北孝感,432000

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 560-564

在线出版日期: 2007-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）