半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)
半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用X射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的应变敏感性,但难以获得统计信息。电子背散射衍射(EBSD)技术在晶体学取向测量和结构鉴定方面已得到广泛应用,它具有较高的空间分辨率(30~40nm)、角分辨率(0.1°~0.3°)和应变敏感性(0.01％),对晶体完整性和表面应力状态十分敏感,因此在半导体外延系统的弹、塑性应变分析方面已取得了可喜进展,发挥着独特的作用。
半导体外延系统 微区应力 EBSD技术 晶体取向 结构鉴定 应变分析
吉元 田彦宝 王俊忠 张隐奇 牛南辉 徐晨 韩军 郭霞 沈光地
北京工业大学固体微结构与性能研究所 北京工业大学光电子技术研究所,北京 100022
国内会议
内蒙古包头
中文
21-23
2007-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）