单片微波集成电路无直流损耗型混频器MESFET模型的研究

摘要：

本文对无直流损耗型MESFET混频器电路的工作原理及其特点进行了仔细的研究分析,通过对这种混频器进行有关的CAD研究,得到了MESFET模型扩展技术,在此基础上进行了12.4～18GHz波段无直流损耗型MESFET混频器单片集成电路的设计和计算,混频器电路的计算结果为:变频增益-3dB。

关键词： MESFET混频器 单片微波集成电路 计算机辅助设计

作者: 柯博林 李春华

作者单位: 浙江万里学院电信工程学院,宁波 315100 浙江万里学院基础学院,宁波 315100

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届信息论学术年会暨2007年港澳内地信息论学术研讨会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 793-797

在线出版日期: 2007-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）