PZT铁电薄膜存储器件的疲劳机理与对策
氧空位的相对移动及在电极/铁电薄膜界面的捕获是引起铁电薄膜器件产生疲劳的一个重要原因。本文在明确相关疲劳机理的基础上,采用sol-gel和磁控溅射的方法在Si衬底上成功制备了PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>/BaPbO<,3>/Pt异质结构。与在传统的Pt底电极上的PZT铁电薄膜器件相比。在BaPbO<,3>/Pt电极上制备的PZT薄膜器件具有更为优良的铁电性能。剩余极化强度为26μC/cm<”2>,矫顽电场为86KV/cm。在经过10<”11>次极化反转后,极化强度值基本保持不变,显示了优良的抗疲劳特性。
PZT 铁电薄膜器件 疲劳机理 铁电性能 存储器件 极化强度
陆裕东 何小琦 恩云飞 王歆 庄志强
信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州510610;华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室 广州 510640 信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州510610 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室 广州 510640
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四川都江堰
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98-103
2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）