ESD应力下的电阻特性研究

摘要：

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ElectrostaticDischarge, ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。本文主要对ESD应力下的扩散电阻的四个区域:线性区,饱和区,负微分电阻区和二次击穿区的模型作了简单的分析,并通过TLP的实验对这几个区域进行了对比分析,着重讲述了二次击穿区即热击穿区的电阻特性。

关键词： 集成电路 静电放电 扩散电阻 TLP测试 二次击穿 电阻特性

作者: 路香香 罗宏伟 姚若河

作者单位: 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 62-66

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）