会议专题

半导体器件的中子辐射效应研究

中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位。本文介绍了半导体器件的中子辐射效应,包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中子辐射的研究进展提出了期望。

半导体器件 中子辐射 位移效应 电离效应

石晓峰 尹雪梅 李斌 姚若河

华南理工大学物理科学与技术学院 广州 510640

国内会议

第十二届全国可靠性物理学术讨论会

四川都江堰

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47-50

2007-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)