MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应

摘要：

MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件等因素;本文对上述物理过程的机理进行了探讨,并着重分析了温度与两类电荷(氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷)的变化关系。

关键词： MOS器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应

作者: 尹雪梅 恩云飞 李斌 师谦

作者单位: 华南理工大学微电子研究所 广州 510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 华南理工大学微电子研究所 广州 5106402

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 42-46

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）