PHEMT器件界面态分析方法

摘要：

本文介绍了PHEMT器件的结构,界面态对PHEMT器件影响的现象和机理,并主要从直流特性,击穿电压和栅延时等方面研究界面态对PHEMT器件的影响,最后针对界面态总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态密度;二维量子模型模拟法;根据跨导随频率变化来测量界面态密度法。

关键词： PHEMT器件 直流特性 击穿电压 栅延时 界面态分析

作者: 张鹏 黄云 李斌

作者单位: 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510641;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510641

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 37-41

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）