SiGe HBT工艺结构及失效分析

摘要：

本文介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了SiGe HBT晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失效的SiGe HBT进行失效分析。

关键词： SiGe HBT晶体管 异质结晶体管 失效机理 结构参数 加速寿命试验

作者: 林晓玲 孔学东 恩云飞 章晓文 姚若河

作者单位: 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 信息产业部电子第五研究所 广州 510610;华南理工大学物理科学与技术学院 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 信息产业部电子第五研究所 广州 510610 华南理工大学物理科学与技术学院 广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 31-36

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）