GaAs PHEMT器件的可靠性评估方法

摘要：

本文从GaAs PHEMT器件的失效机理出发,总结了PHEMT器件的几种可靠性评估方法:利用沟道区碰撞电离率对PHEMT器件的热电子退化的评估方法、高频C-V法对肖特基势垒接触退化的可靠性表征方法、用于欧姆接触退化表征的温度斜坡快速评价方法以及2DEG结构引起PHEMT器件失效的可靠性评估方法。

关键词： PHEMT器件 砷化镓半导体 可靠性评估 热电子退化 接触退化 温度斜坡 2DEG结构

作者: 许燕 黄云 邓文基

作者单位: 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州 510610 华南理工大学物理科学与技术学院 广东广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 25-30

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）