VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应

摘要：

对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

关键词： VLSI ULSI 金属化系统 金属离子 蓄水池效应 电迁移 应力迁徙

作者: 李志国 李秀宇 朱春节 郭春生 吴月花

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京 100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 9-14

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）