硅元表面污染物的TOF-SIMS检测

摘要：

静态飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是通过分析一次离子轰击样品表面而溅射出来的二次离子，从而获得样品表面各元素、同位素、化合物组分等信息。TOF-SIMS能同时进行无机元素和有机物的分析，具有极高的灵敏度、高分辨率，检测限为109个原子每平方厘米。当今TOF-SIMS应用涉及到化学、生物学和物理学等领域，在微电子材料、纳米材料、红外材料、生物医学等领域的研究中也起着重要作用。在国内，TOF-SIMS已经用于分析煤、大气颗粒物等。本工作利用TOF-SIMS对硅元表面的污染物进行了检测。

关键词： 硅元表面 颗粒污染物 静态飞行时间 二次离子质谱检测

作者: 何小青 梁汉东 许世波

作者单位: 煤炭资源与安全开采国家重点实验室，北京100083 煤炭资源与安全开采国家重点实验室，北京100083 中国矿业大学(北京)表界面化学研究所，北京100083 中国矿业大学(北京)表界面化学研究所，北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国质谱学会无机质谱、同位素质谱、质谱仪器和教育学专业委员会学术交流会

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 65-67

在线出版日期: 2007-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）