量子阱超晶格红外光电薄膜材料研究

摘要：

本文介绍了量子阱超品格光电探测材料的现状及发展趋势。以InAs/GaInSb应变层超晶格和AlGaN/GaN超晶格为例,论述了超晶格的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制量子阱超晶格界面结构的工艺方法。

关键词： 量子阱超晶格 红外光电薄膜 光电性能 界面结构 分子束外延生长

作者: 赵连城 李美成 李洪涛 国凤云

作者单位: 哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程院化工·冶金与材料工程学部第六届学术会议

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 628-635

在线出版日期: 2007-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）