Cu-In合金薄膜共沉积过程中pH值的影响
Cu-In合金薄膜是作为通过硒化处理制备CuInSe2化合物过程中的前驱薄膜,本文介绍了用电化学方法分析Cu-In合金薄膜电沉积过程中的沉积电位与pH值之间的相互关系,分析了在即定电位下pH值对薄膜沉积过程的影响,并制备了颗粒分布均匀粒度为l微米左右的Cu-In合金薄膜.
合金薄膜 电沉积 电化学
杨恒修 张惠 宋振纶
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
国内会议
上海
中文
170-172
2007-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)