掺Al对ZnO紫外探测器性能影响的研究
采用射频溅射工艺在石英基片上制备了未掺杂和掺Al 5at％,10at％及20at％的ZnO薄膜。研究了薄膜的透过率,结果表明随着Al浓度的增加,薄膜光学吸收边蓝移,掺Al 20at％薄膜的禁带宽度展宽到3.93eV。在薄膜上真空蒸发沉积金叉指电极制备了MSM结构光电导紫外探测器,光谱响应测试表明5V偏压下未掺杂的探测器在375nm紫外光照下达到最大值,响应度为1.97A/W,对450nm以上可见光响应度减小了1个数量级。随着Al浓度的增加,响应度逐渐减小,响应峰位置无明显变化。
紫外探测器 射频溅射 薄膜 光谱响应
王培利 邓宏 韦敏 李燕 姚友谊
电子科技大学微固学院
国内会议
厦门
中文
107-109
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）