射频磁控溅射掺Al<”3+>ZnO薄膜的光致场发射研究

摘要：

氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备不同掺杂(Al<”3+>)浓度ZnO薄膜时,掺杂浓度对光致场发射的影响。通过SEM电镜观察样品表面,发现表面存在纳米晶化颗粒,正是这些晶粒成为发射中心。当掺杂浓度为30at％,3w光源照射时,薄膜阴极开启电场为3.8V/μm。

关键词： 氧化锌 射频溅射 光致场发射 掺杂浓度 薄膜

作者: 姚友谊 邓宏 韦敏 王培利

作者单位: 电子科技大学微固学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会传感技术第十届学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 92-95

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）