电沉积法制备纳米Ni针锥阵列及其场发射性能的研究
采用电沉积方法制备了纳米Ni针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜(SEM)观测了纳米Ni针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统了其场发射性能。测试结果表明纳米Ni针锥阵列具有低的开启电场,为5~6.7V/μm(对应场发射电流1μA)和大的场发射电流,为155~206μA.研究了研究纳米针锥的尺寸和排布对阵列场发射性能的影响.
电沉积 场发射性能 纳米针锥 扫描电子显微镜
李红 凌惠琴 李明 毛大立
上海交通大学材料科学与工程学院微电子材料与技术室
国内会议
上海
中文
150-153
2007-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)