纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应

摘要：

用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(～1011cm-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一步利用自组织生成的硅量了形成具有悬浮栅极的MOS单元，验证了硅量子点的量子效应。

关键词： 纳米硅 硅量子点 自组织形成 量子效应 减压气相淀积法

作者: 高文秀 刘继伟 高鹏 郭先清

作者单位: 厦门大学 纳米科技中心，厦门市 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国(西安)纳米科技研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 113-116

在线出版日期: 2004-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）