RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究

摘要：

基于反向预冲电流下在器件内建立均匀等高子体层的开通原理，反向开通复合管具有在整个芯片面积上均匀开通、容易串并联的优点。本文通过理论和试验研究，得到了在不同放电电压、不同电阻负载下电压与脉冲电流峰值的关系.结果表明：同一负载下，放电电压与脉冲电流峰值基本呈线性关系；RSD在开通大电流时，其器件阻抗对回路影响很小，其放电电流峰值主要由外电路参数决定.

关键词： 反向开通复合管 脉冲开关 脉冲功率源

作者: 彭亚斌 余岳辉 梁琳 王玉彬

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系 武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会六届五次理事会议暨中国电力电子产业发展研讨会

会议地点: 广西桂林

会议语种:中文

页码: 75-78

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）