基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al<,2>O<,3>的仿真

摘要：

在H-Si(100)表面原子层沉积Al<,2>O<,3>的过程中，由于表面功能团的不同，存在着初始沉积和后续生长两个阶段。基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型。 采用动力学晶格蒙特卡罗方法实现这一沉积过程的仿真。变换条件进行多组模拟实验，结果表明在一定的范围内，前驱体或基片的温度高，反应室真空度低，薄膜生长速率的增长快，表面粗糙度小；基片温度对于薄膜沉积过程的影响最大，其阈值约为200℃。

关键词： 原子层沉积 计算机仿真 氧化铝 薄膜生长速率 蒙特卡罗法

作者: 申灿 黄光周 马国欣 叶位彬 朱建明 戴晋福

作者单位: 华南理工大学电子与信息学院 广东 广州 510640 广东省肇庆市科润真空设备有限公司 广东 肇庆 526060

会议类型: 国内会议

会议名称: 07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会

会议地点: 广东东莞

会议语种:中文

页码: 41-46

在线出版日期: 2007-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）