采用磁控溅射法制备多晶硅薄膜的研究

摘要：

利用磁控溅射法在普通玻璃衬底上淀积a-Si/Al双层复合薄膜，然后在氩气保护中退火而制备多晶硅薄膜；利用XRD、SEM对薄膜进行测试分析。 实验结果表明，在铝的诱导下，a-Si薄膜在450℃退火30分钟即开始晶化，随着退火温度的升高和退火时间的增加，晶化程度加强。

关键词： 多晶硅薄膜 金属诱导法 磁控溅射法 低温晶化 退火

作者: 王翀 许家雄 姚若河

作者单位: 华南理工大学物理科学与技术学院 广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会

会议地点: 广东东莞

会议语种:中文

页码: 34-36

在线出版日期: 2007-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）