稀土氧化物掺杂ZnO压敏陶瓷的介电性能
本文在-130～20 ℃范围内测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电谱，发现ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷同时包含两种损耗峰，这两种损耗峰分别对应于V()o和Zn()i，但以V()o所形成的损耗峰为主；稀土氧化物不改变特征峰的性质，但改变了两种损耗峰的相对比例。和没有掺杂稀土氧化物的试样相比，掺杂Ce2O3和Gd2O3的试样中也存在两种损耗峰，不过两峰重合点向高温端和高频端移动；而掺杂La2O3的试样中仅存在一种损耗峰。两种损耗峰中Zn()i的损耗峰对热处理温度较敏感而V()o的损耗峰对热处理气氛较敏感，所以ZnO压敏陶瓷的老化过程主要取决于V()o。
稀土氧化物掺杂 ZnO压敏陶瓷 介电性能 老化过程 损耗峰
李盛涛 成鹏飞 李建英 赵雷
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安，710049
国内会议
浙江温州
中文
37-41
2007-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）