降低直立碳纳米管阵列阴极屏蔽效应的研究
为了降低直立碳纳米管阵列阴极的电场屏蔽效应，本研究通过普通紫外曝光技术结合侧向沉积收口工艺,研制了发射单元的底部直径分别为1微米、0.6微米、0.4微米和0.2微米的无栅型直立碳纳米管阵列阴极。阴极的制造工艺如下：首先在单晶硅上溅射氮化钛缓冲层,然后通过曝光工艺制作直径1微米的胶孔阵列,侧向沉积牺牲层对胶孔收口,沉积催化剂铁并去胶,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积法生长直立的碳纳米管。测试结果表明,随着收口孔径的减小,每个发射单元内碳纳米管的根数随之减少,同时碳纳米管的生长速率减慢,阵列阴极的电流密度明显提高；当收口孔径为0.2微米时,发射体己经接近理想的单根碳纳米管的形式,电流密度在电场30V/μm时达到0.26A/cm<”2>,阵列阴极具有较好的发射稳定性,波动小于5.6％,并可以在10<”-6>Torr的真空环境下运行。
电真空器件 电子管阴极 碳纳米管 电场屏蔽
陈长青 丁明清 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军
中国电子科技集团公司第十二研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京 100016
国内会议
中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
包头
中文
445-449
2007-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）