生长于黄铜基底上的氧化锌纳米线阵列的场发射特性研究
本研究利用直接在空气中加热黄铜片的简单方法得到了大面积的氧化锌(ZnO)纳米线阵列。制备过程无需外来锌源、催化剂或者真空环境。测量了所得到的纳米线阵列的场发射特性,与生长于p型硅基底上的同样结构的ZnO纳米线阵列相比,前者具有更低的开启电压和更好的稳定性。场发射特性的明显差别来自于所用基底的不同。对于直接从黄铜基底上生长和生长在p型硅基底上的ZnO纳米线,场发射体的失效分别来源于纳米线在顶端和根部的断裂。
电真空器件 电子管制备 纳米氧化锌 发射体失效
肖竞 张耿民
北京大学电子学系 北京 100871
国内会议
中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
包头
中文
439-444
2007-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）