钨铱合金基阴极发射性能研究

摘要：

本文介绍了最新研制的钨铱合金基阴极的制备过程及发射性能。浸渍了普通铝酸盐的合金基阴极在1100℃<,b>,获得了52A/cm<”2>的“拐点”发射电流密度；浸渍了钪酸盐的合金基阴极在1003℃<,b>,获得了39A/cm<”2>的“拐点”发射电流密度。采用Miram曲线和实际功函数分布的办法计算了合金基阴极的实际功函数分布,并与覆膜阴极及浸渍钪酸盐阴极的实际功函数分布进行了对比。

关键词： 电真空器件 电子管阴极 钨铱阴极 电子发射

作者: 于志强 李季

作者单位: 中国电子科技集团公司第十二研究所 北京 100016

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 包头

会议语种:中文

页码: 373-380

在线出版日期: 2007-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）