高电流密度带状束电子源
为了满足THz真空电子器件对电子源高发射、小尺寸、特定形状的要求,本文研制了直接由阴极发射高电流密度带状电子束的技术并对电子束的发射性能进行了研究和表征。本研究以氧化钪掺杂扩散型阴极高发射为基础,配合形状和厚度合适的带状束成型结构,构成带状束电子源。实验结果显示,该带状束电子源提供的电子束形状良好,在950C<,b>的工作温度、70A/cm<”2>电流密度下稳定工作526小时发射不下降。这一结果说明,该带状束电子源在THz领域内具有良好的应用前景。
电真空器件 电子管阴极 电子束发射 含钪阴极
王金淑 李莉莉 王燕春 刘伟 王亦曼
北京工业大学材料学院 北京 100022
国内会议
中国电子学会真空电子学分会第十六届学术年会暨军用微波管研讨会
包头
中文
356-359
2007-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)