电位对电沉积制备ZnO纳米棒阵列的影响
ZnO是一种六方结构的新型Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,与ZnO薄膜相比,ZnO纳米棒阵列具有良好的导电性能、高的光电转换效率和光致发光性能,高度有序的ZnO纳米线/棒阵列在研制新一代纳米电子、光电子器件等领域具有广阔的应用前景,因此高度有序的ZnO纳米线/棒阵列的制备和性质研究正在成为化学、物理学和材料科学新的研究热点。近年来,人们尝试用不同的物理和化学方法制备出性能优异的ZnO纳米棒阵列,其中电化学沉积法由于其反应条件温和、实验参数易于控制、易于大批量工业化生产等优势而越来越引起人们的关注。
氧化锌 电位 电沉积制备 纳米棒阵列
杨传钰 郭敏 张梅 王习东 王新东
北京科技大学理化系,北京,100083
国内会议
扬州
中文
770-771
2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）