电沉积ZnO及透光性性能的研究

摘要：

ZnO是一种直接带隙宽度宽禁带Ⅱ-Ⅳ族半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV半导体材料,具有高达60meV的激子束缚能性能稳定,在紫外波段具有强的激子跃迁发光。制备ZnO的方法有许多种,如磁控溅射法、化学气相沉积、以及电化学沉积等。其中,电化学沉积方法具有若干其他方法优点,如能通过沉积条件精确控制厚度、沉积速度快、设备简单等,因此近年来引起人们的关注。

关键词： 电化学沉积 半导体材料 透光性性能 氧化锌

作者: 叶锋 杨传钰 李晶晶 林才顺 王同涛 王新东

作者单位: 北京科技大学冶金与生态工程学院,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四次全国电化学会议

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 766-767

在线出版日期: 2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）