电化学氧化时间对阵列多孔硅形貌的影响

摘要：

自20世纪50年代发现多孔硅以来,其应用领域逐渐拓宽。其中,具有一定孔径和孔间距分布的阵列多孔硅因其高一致性和低折射系数的物理特性,也逐渐受到人们的重视,它在光电子、光子、生物医学和MEMS领域的应用正日益增多。本文采用电化学氧化法,在预光刻图案的硅片上制备得到阵列多孔硅,并考察氧化时间对阵列多孔硅孔径和孔深的影响。

关键词： 电化学氧化法 预光刻图案 阵列多孔硅

作者: 江梅 刘刚 黎学明

作者单位: 重庆大学化学化工学院,重庆,400030

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四次全国电化学会议

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 706-707

在线出版日期: 2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）