化学阻抗和DFT联合研究化学沉积镍过程中pH值对次磷酸根氧化的影响
随着化学法制备含镍的纳米级材料的拓展,促进了化学沉积镍机理的研究.尽管大量试验和理论方法研究化学沉积理论,但是化学沉积理论还有待于研究。次磷酸根的氧化过程是化学沉积镍过程中的关键决速步骤。对化学镀理论的研究,Homma教授率先采用分子轨道理论(MO)对次磷酸根的氧化进行了计算,但是计算获得的次磷酸根氧化的能量过高,远远偏离实际。这主要是由于他在计算过程并没有充分没有考虑水的溶剂化效应和镍的催化作用。另外试验还发现，溶液的pH值对次磷酸根的氧化起到相当大的影响.因此本报告采用密度泛函理论，采用短程溶剂化模型讨论Ni(II)对次磷酸根氧化过程的催化作用，并讨论了溶液酸碱性对次磷酸根氧化过程的影响。为T验证DFT计算的准确性，进一步采用电化学交流阻抗在pH5.5,7.5和9.5的溶液中.在沉积电位下对化学镀镍过程进行测试，将DFT的计算结果与EIS测试结果相结合。从而全面揭示了次磷酸根的氧化过程.
化学阻抗 密度泛函理论 化学沉积过程 镍 pH值 次磷酸根氧化
崔国峰
中山大学化学与化学工程学院,广东,广州,510275
国内会议
扬州
中文
696-697
2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）