ZnO/CdSe宽─窄带隙复合电极的电化学制备及其光电性能
两种不同带隙半导体层状复合电极中,宽窄禁带半导体在不同波长下光电响应不同,相互补充,拓宽了光电响应的光谱范围,另外两种半导体相互作用,对表面起钝化作用,减少了两种半导体内的表面态,能带结构的匹配,可以更有效地将光生载流子分离,减少光生电荷的复合,表现出很好的光电性能。CdSe是一种优良的半导体光电材料,其禁带宽度(Eg)仅为1.7eV,光吸收系数大,对太阳光有很好的吸收和光电转换性能。ZnO一般作为发光材料,其禁带宽度较大(3.2eV),光电转换性能较差.我们在ITO电极上制备了ZnO纳米棒,CdSe纳米微粒膜,及ZnO/CdSe层状复合电极三种半导体电极,并研究其光电性能。
层状复合电极 宽窄禁带半导体 氧化锌 硒化镉 电化学制备 光电性能
冯增芳 周剑章 郭洪辉 林仲华
厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,厦门 361005
国内会议
扬州
中文
365-366
2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）