taC:N电极中N浓度对其EIS行为的影响

摘要：

本文使用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术制备了大量具有不同N含量、欧姆接触良好的taC:N电极，系统地研究了膜中N含量对taC:N电极EIS行为的影响。所有电化学交流阻抗谱是在1moUL HC104介质中得到的，根据taC:N电极在1mo1/L HCL04介质中的循环伏安图，选取电极电位E = OV(vs. SCE)在平台区域中，以排除法拉第电流对其的影响。

关键词： taC:N电极 氮浓度 磁过滤阴极真空弧 EIS行为 电极电位

作者: 刘珠 王广甫 汪正浩

作者单位: 北京师范大学化学学院,北京,100875 北京师范大学分析测试中心,北京,100875

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四次全国电化学会议

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 96-97

在线出版日期: 2007-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）