会议专题

ZnSe纳米棒的制备及光电性能研究

本文采用水热法制备了ZnSe纳米棒,并用XRD、TGA-DTA、SEM对共进行了表征。结果表明,EDTA的加入量严重影响样品的型貌和结钩,本文通过控制EDTA的加入量和反应温度,得到的纳米棒直径为50-100nm之间,棒长约为200-300nm;纳米棒在240℃具有闪锌矿和纤维锌矿型混品结构;将ZnSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在380℃下缎烧40min后制备成纳米棒膜电极,并进行了光电化学研究,ZnSe纳米棒表现为n型半导体特性。根据纳米捧膜电极的光电流随电极电势变化和人射光波长变化关系曲线,纳米棒膜电极在电极电位为0.6V,入射光波长360nm时,光电转换效率达到最大可达9.09%。

硒化锌纳米棒 制备工艺 水热法 光电性能

酆云 崔玥 王利刚 郝彦忠

化学与制药工程学院,河北石家庄,050018 河北科技大学理学院 河北科技大学理学院 化学与制药工程学院,河北石家庄,050018

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2007-11-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)