针对GaAs HBT电路电磁辐射毁伤与分析

摘要：

通信系统经常受到外异电磁脉冲的干扰和冲击。接收通道前端高频组件更易受到瞬时尖峰脉冲烧毁，尤其是GaAs徽波低噪声器件是其中最薄弱环节，GaAs徽波低噪声器件损坏之后，就会造成整机接收端失效。本文介绍了一种GaAs HBT电路在全载波和脉冲串前门注入毁伤实验中的毁伤模式与机理。

关键词： GaAs HBT电路 电磁辐射 芯片毁伤

作者: 李用兵 王长河 周军

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄179信箱35分箱,050051 中国电子科技集团公司第三十六研究所 嘉兴

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 440-443

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）