快前沿电磁脉冲(FREMP)对单管损伤效应的实验研究

摘要：

我们研究快前沿电磁脉冲(FREMP)对武器系统电子元器件的损伤效应和系统耦合效应,由于实验空间和实验的对象的选择问题,这里重点介绍单管静态注入实验方法,并给出了不同脉冲宽度下单管3DGIIIF的损伤阈值,对其损伤机理进行了初步分析,试验结果认为FREMP对高频三极管3DGIIIF的损伤机理主要是PN结的结表面击穿和氧化层击穿.

关键词： 电磁脉冲 损伤阈值 击穿效应 高频三极管

作者: 罗学金 曹占峰

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 409-411

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）