应用截面偏倚方法和Geant4模拟低能中子在微波SiGe HBT器件中的能量沉积

摘要：

介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径迹及微剂量谱;分析了中子辐射损伤特点。

关键词： SiGeHBT 中子 截面偏倚 能量沉积

作者: 刘书焕 刘喃喃 李达 王祖军 江新标 朱广宁 周辉 李君利 邵贝贝

作者单位: 清华大学工程物理系,北京,100084 西北核技术研究所,西安,710613 西北核技术研究所,西安,710613 清华大学工程物理系,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 342-352

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）