1MeV中子辐照对微波SiGe HBT器件特征参数影响的数值模拟

摘要：

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应机理,运用MEDICI软件,对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律.

关键词： SiGeHBT 中子辐照 缺陷能级 直流增益 截止频率 MEDICI 数值模拟

作者: 王祖军 刘敏波 唐本奇 刘书焕 陈伟 周辉 李达 黄绍艳 肖志刚 张勇

作者单位: 西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 335-341

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）