高能中子在硅材料中电离效应的模拟研究

摘要：

为了研究高能中子在硅材料中产生电离效应的情况,采用蒙卡方法研究了14Mev核爆高能中子和电子器件内部半导体硅材料的作用机理,由此得到了高能中子在硅材料中产生次级粒子的电离能损和空间分布,并获得了电离效应总截面。高能中子的电离效应研究结论,为单片机的高能中子单粒子效应的解释提供了有力的依据。

关键词： 高能中子 电离效应 蒙卡方法 单粒子效应 半导体材料 硅

作者: 牟维兵 徐曦

作者单位: 中物院电子工程研究所,四川绵阳919信箱522分箱,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 309-312

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）