2K SRAM激光微束单粒子效应实验研究
结合器件版图,通过对2k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得了SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行了测试。结果表明,存储单元中截止N管漏区、截至P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明通过采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等设计对于器件抗单粒子闭锁加固是十分有效的。
SRAM 存储单元 激光微束 单粒子效应 等效LET阈值
罗尹虹 薛玉雄 杨世宇 陆虹 郭红霞 周辉 陈伟 姚志斌 张凤祁 何宝平 王园明 曹州
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2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）