SRAM六管存储单元单粒子翻转效应二维数值模拟

本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/电路混合模拟方式,针对静态存储器SRAM六管存储单元的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟计算。并根据模拟计算,提出了几种针对单粒子翻转的加固方法。
单粒子翻转 存储器单元 电荷漏斗模型 SRAM
郭红霞 罗尹虹 张凤祁 陈雨生 周辉 陆虹 苏秀娣 杨筱莉
西北核技术研究所,陕西西安,710024 中国电子科技集团 第四十七所,辽宁沈阳,110032
国内会议
重庆
中文
209-218
2007-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)