SRAM六管存储单元单粒子翻转效应二维数值模拟

摘要：

本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/电路混合模拟方式,针对静态存储器SRAM六管存储单元的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟计算。并根据模拟计算,提出了几种针对单粒子翻转的加固方法。

关键词： 单粒子翻转 存储器单元 电荷漏斗模型 SRAM

作者: 郭红霞 罗尹虹 张凤祁 陈雨生 周辉 陆虹 苏秀娣 杨筱莉

作者单位: 西北核技术研究所,陕西西安,710024 中国电子科技集团 第四十七所,辽宁沈阳,110032

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 209-218

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）