单粒子锁定及防护技术研究

摘要：

本文介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究.在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。

关键词： CMOS器件 单粒子锁定 锁定防护

作者: 杨世宇 曹洲 薛玉雄

作者单位: 中国航天科技集团公司五院五一〇研究所,甘肃省兰州市94号信箱,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 204-208

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）