CMOS集成电路抗单粒子加固技术

摘要：

本文阐述了单粒子效应的分类,给出了一种CMOS集成电路的单粒子加固设计技术,试验方法、测试程序、及其试验结果。试验表明该电路的抗单粒子LET>58.3MeV/mg/cm<”2>.

关键词： 抗单粒子加固 单粒子效应 CMOS 集成电路

作者: 姜立娟 许仲德

作者单位: 中国电子科技集团公司 第四十七研究所,沈阳市陵园街20号,110032

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 194-197

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）