JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探
介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂量实验结果显示:不同于双极类器件,JFET输入运放既有ELDRS效应又有时间相关效应;模拟结果表明:采用美军标针对双极类混合电路的加速评估方法,不能有效地模拟出JFET输入运放ELDRS效应的最大损伤,而采用与MOS器件损伤特性相关的实验方法进行评估,则能获得较好的实验结果。文中对引起这种现象的机理进行了分析和探讨.
JFET 运算放大器 伽马射线辐射 剂量率 加速评估
陆妩 任迪远 郭旗 余学峰
中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011
国内会议
重庆
中文
187-193
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）