NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究

摘要：

本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<”9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而NVSRaM在10<”7>Gy(Si)/s剂量率下就发生数据错误,选择FASHROM作为单片机系统的存储器能够满足抗辐射指标的要求。

关键词： 辐射效应 剂量率 存储器 抗辐射加固

作者: 朱小锋 赵洪超 杨有莉

作者单位: 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 179-182

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）